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Resultados para el tag: micron

Memorias NAND 3D, Toshiba, Intel, Micron, todos con novedades

27/03/2015 - 10:36:25

Toshiba anunció sus memorias NAND 3D de 48 capas, ganándole por un corto plazo a sus rivales que poseen diseños de 32 capas. El diseño de Toshiba empezó la tarea de el sampleo de partes con sus 48 capas y 128GBits en 3D, pero no son los únicos acelerando sus procesos. El rival inmediato, Samsung, ya posee producto con 24 capas y 86Gbits. Intel y Micron presentaron su modelo de 32 capas pero 256GBits (32GB aprox) MLC (multi-level cell) y que en modo TLC (triple level cell) puede ll...

Intel y Micron muestran primeras memorias NAND a 20nm

15/04/2011 - 02:24:29

odavía no llegaron al mercado masivo las unidades SSD con proceso de 25 nanómetros que ya Intel y Micron anunciaron que han construído los primeros chips a 20nm. Todavía no es un producto que se vea en producción masiva, es apenas una muestra de lo que se usará el año que viene, pero existe! en la imagen pueden ver un chip NAND MLC de 8Gbits en comparativa de tamaños. Probablemente a fin de año se vean en la calle aunque es más probable el año entrante para lo masivo. El tamaño...

Intel y Micron produciendo NAND Flash a 25nm

04/02/2010 - 06:01:26

Una de esas noticias techies que tal vez parezcan poco importantes pero son más que interesantes para el mercado futuro de las unidades SSD tal vez para fin de año. Es que el proceso de 25 nanómetros para fabricación de memorias es el más miniaturizado existente en línea de producción y esto implica que en una superficie de tan sólo 167mm2 entran 8Gb de capacidad. Comparen simplemente con los chips anteriores de 34nm,e entraban 4GB en 172mm2, el doble en menos espacio! Pero no só...

Intel y Micron dan a conocer el primer chip flash a 34nm

29/05/2008 - 06:08:54

IM Flash Technologies es un "joint venture" entre Intel Corp. y Micron Technology y ha dado a conocer los primeros chips de memorias flash fabricados en un proceso de 34 nanómetros cruzando la barrera de los 40nm para este tipo de memorias NAND. El trabajo se realiza sobre waffers de 300mm y cada chip es de 32Gb de capacidad, dando unos 1.6Tb por cada waffer, al poder producir tantos chips (50) en un sólo waffer (el disco de silicio donde se "dibuja" un chip) se abaratan los costos notable...