Intel mira más allá de los 10nm

En un mercado que se le cierra cada vez más, el de los móviles y weareables, Intel tiene que estar, obligadamente, un paso más allá de sus rivales, y lo está, pero no debe dormirse en los laureles.

El tema es que se está empujando la física a niveles atómicos y los costos de fabricar son, a cada iteración, cada vez más astronómicos. 10 nanómetros es el punto límite del silicio para Intel, para 7nm saben que tienen que irse a otro material base.

Los primeros procesadores a 10nm los veremos recién para 2016-2017, así que cuando hablamos de tamaños menores es para después de 2020, ya con el proceso de 14nm Intel tiene una ventaja significativa con respecto a sus rivales, porque no sólo se trata del proceso sino de cuanto han reducido en cada área.

Esta diferencia les deja un par de años de margen que Samsung y TSMC estan tratando de alcanzar.

El achicar el proceso tiene mucho sentido desde los costos para Intel y para todos los jugadores en este escenario, pero el tema del consumo eléctrico es lo que más afecta a los procesos menores, como ya hemos comentado más de una vez, cuanto más pequeño más difícil mantener un electrón fijo y sin saltar por error, por esta razón Intel está analizando otros materiales para salir del silicio.

Entre las opciones que analizan está el grafeno y los nanotubos de carbono, otro problema es el sistema de litografía el cual resulta cada vez más caro y complejo, principalmente la Extreme UV que está dando muchos dolores de cabeza. Otro esquema elegido es el de el stackeo de capas, en 3D, para poder mejorar la eficiencia, pero esto aumenta notablemente los costos.

Además para reducción de costos anunciaron el uso de la interfaz MCDRAM que utilizará el Xeon Phi en su próxima versión, prometen 59 mW en un link de 10Gb/s utilizando CMOS Tri-Gate de 14nm, una eficiencia bestial ya que gran parte de la energía se pierde en los enlaces de alta velocidad entre procesadores de un SoC.

Via ARSTechnica