La mayoría de los CPU actuales se fabrican bajo un proceso llamado FinFET (Field Effect Transistors) pero IBM y Samsung han desarrollado una nueva variante: Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET).
Este proceso cambia la forma horizontal en la que se acumulan las capas de material semiconductor a un stacking vertical. Es algo que hace años se viene intentando.
El mismo FinFET es un poco vertical para justamente evitar las pérdidas o saltos de electrones, pero en el fondo su diseño seguía siendo horizontal y, por lo tanto, ocupaba más superficie de la necesaria.
El VTFET reduce el área ocupada por cada transistor independientemente del nodo de fabricación, pude ser 5nm pero es el área la que ocupa menos espacio y, por ende, se pueden incorporar más transistores en la misma superficie o refrigerar más fácilmente.
El problema con todas las tecnologías de stacking es que sumar capa sobre capa es MUY difícil en estos tamaños de pocos nanómetros. Hasta Intel había empezado a usar Amstrong como unidad de medida para dar un paso adelante en la nomenclatura.
Al reducir el área VTFET reduce el consumo y la distancia entre conexiones, según ambas firmas la ventaja es de un 85%, esto deriva en menores temperaturas, menores pérdidas y mayor duración de baterías en todo lo que sea dispositivo móvil.
El tema, como con toda nueva tecnología, es escalarlo. Una cosa es la producción en laboratorio y otra en una fábrica donde realmenente se verá si sirve el proceso y si se puede replicar en cantidades.
Es poco probable que lo veamos en los procesos actuales, Intel tiene su propia versión hace un tiempo: RibbonFET, y planea implementarla en los procesos para Intel 20A (20 Armstrongs) recién para 2024.
En el caso de Samsung e IBM no hay todavía una fecha pero lo cierto es que siguen intentando mantener la ley de Moore vigente.
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