Hay que achicar, es cierto, pero a medida que los circuitos electrónicos se acercan a los pocos átomos de distancia hay una serie de problemas imposibles de resolver si no se acude a algún recurso nuevo.
Cuanta mayor superficie, mejor capacidad de transmitir electrones, los transistores FinFET resuelven esto de una forma elegante, en vez de recurrir a las dos dimensiones elevan uno de los nodos en altura y con esto se consigue mayor superficie de transporte (source), tengan en cuenta que sobre un conductor los electrones viajan por la parte externa así que mayor superficie, mayor cantidad de electrones.
Pero no es la única dimensión necesaria, en un circuito semiconductor necesitamos de una parte que “tape” (gate) este flujo de electrones, en la medida que uno se acerca a estos tamaños ínfimos muchos electrones se “escapan” provocando “leaks”, pérdidas que no sólo pueden significar un error digital si no que generan un exceso de temperatura de energía perdida en la nada misma.
Es por eso que no alcanza con los circuitos SOI y empezaron con los FinFET, al llegar a 14nm es imposible seguir con la tecnología anterior sin aplicar esta técnica, pero hay que adaptar los diseños a tal efecto. Samsung está mostrando al público especializado sus primeros chips desarrollados bajo esta tecnología.
Samsung tiene además un acuerdo con ARM para acceder a todas las patentes físicas para la fabricación, el primero de los testeos es con un Cortex-A7 hasta módulos SRAM, adicionalmente han liberado para sus clientes un Process Design Kit que les permite solicitar a Samsung diseños en particular para sus necesidades (así como hacía Apple cuando le compraba los procesadores hechos a medida).
Más detalles en XBitLabs ¿para cuando SoC hechos a 14nm? próximos años, 2013 las pruebas, 2014 si va todo normal, o Q4 2013 si Intel presiona demasiado, todavía no se sabe.
