Categoría: Memorias

Fabio Baccaglioni

Samsung viene dando algunos pasos importantes desde su fábrica de chips porque está anunciando que completó las pruebas de sus prototipos de DRAM de 8GB LPDDR5.

El mercado al que apunta es a futuro, no van a verlo este año en ningún teléfono pero probablemente en los futuros 5G, estas memorias ofrecen un 50% de mejoras en ciertos aspectos sobre las LPDDR4X con transferencias de hasta 6400Mbps que en sentido práctico vendrían a ser 51GB en un segundo de forma constante. Una bestialidad a la altura de las DDR5 que ya presentó en Febrero pero para móviles.

Para evitar excesos de consumo tendrá dos versiones, de 1.1Volts y de 1.05V esta última con tasas de 5500 Mbps además ambas sumando deep sleep mode para bajar el cosumo a la mitad cuando no se usan a la mitad de lo que ya bajaba el idle mode de los LPDDR4X.

Por todos estos detalles de consumo el mercado es obviamente celulares pero más aun el tema de incorporar Machine Learning en los móviles que está cada vez más en boga y requiere velocidades que ni siquiera tenemos en nuestras notebooks o desktops porque... vamos, realmente no lo necesita nadie Risa

Via Samsung

Fabio Baccaglioni


Si querés hacerle un upgrade a tu notebook gamer y necesitás nuevas memorias Samsung ya está fabricando en masa las SoDIMM DDR4 de 32GB a 10 nanómetros.

Las anteriores SoDIMM de la marca eran módulos de 16GB con chips de 8Gb a 20nm, así que hay un gran salto en capacidad con, según la marca, 11% de mejora de performance y 39% en cosumo.

Los nuevos módulos utilizan 16 de los nuevos chips de 16Gb DDR4, ocho por lado, con velocidades de hasta 2666 Mbps. Dos de estos consumen menos de 4.6W en actividad y 1.4W en idle dando 64GB de RAM.

Via Samsung
Fabio Baccaglioni


Aun cuando pocos tiene GDDR5 en sus placas de video Samsung ya da el páso siguiente con la sexta generación de la memoria dedicada especialmente para video, GDDR6

A diferencia de su antecesora, fabricada en 20 nanómetros, la nueva utilizará el proceso de 10nm, por ende ofreciendo doble densidad, en chips de 16 gigabits (en vez de ocho).

La empresa coreana promete unos 18Gbps de transferencia por pin con un total de 72GB/s trabajando a 1.35V (bajando de los 1.55V previos).

Obviamente esto llevará a placas más rápidas pero la contrapartida siempre es el precio ya que tienen el monopolio absoluto sobre este producto porque SK Hynix y Micron todavía no empezaron la producción en masa.

Via Samsung
Fabrizio Ballarino


La firma Western Digital Corporation acaba de presentar en plena feria IFA 2017 mediante una de sus submarcas a la tarjeta de memoria de mayor capacidad en el mundo en estos momentos, nos estamos refiriendo a la nueva SanDisk Ultra microSDXC UHS-I de 400GB de almacenamiento.

Este hito viene a duplicar en capacidad tanto a otra tarjeta anterior de la misma firma como a las restantes de la competencia. Y ojo, porque no sólo de capacidad viene la cuestión, pues se trata de un producto Clase 10 de su tipo.
Fabrizio Ballarino


IBM -- en asociación con Sony Storage Media Solutions -- logró un nuevo hito en cuanto a capacidad de almacenamiento y espacio se refiere. El gigante azul pudo insertar 330TB de información sin compresión en un cartucho que tiene un tamaño similar a un pendrive. Para darte una idea orientativa, eso equivale a aproximadamente 330 millones de libros.

El cartucho protagonista de esta nota está conformado por un tipo de cinta magnética especial que logra obtener un máximo de 201 gigabits por pulgada cuadrada. O sea, son 20 veces la densidad de las cintas magnéticas comunes usadas en la actualidad.
Fabio Baccaglioni


Oh si, bestial, pasaron dos años desde el anuncio de la de 512GB, la Sandisk Extreme Pro, hoy han dado un nuevo salto presentando en Photokina 2016 una del doble.

La nueva SDXC ofrec 1TB de almacenamiento en el tamaño típico de una tarjeta SD, obviamente no toda cámara de fotos la soporta actualmente aunque, por especificaciones, todas deberían.

Considerando que la anterior está alrededor de USD 300 hacia arriba es muy probable que la de 1TB sea realmente cara pero no más que una unidad SSD o M.2, claro, las velocidades son distintas. Nada de precio ni disponibilidad todavía, habrá que esperar, igualmente no tengo ningún apuro

Via Sandisk
Fabio Baccaglioni


A pocos meses de que SanDisk publicase el lanzamiento de su microSD de 200GB, la mayor capacidad en este tipo de tarjetas hasta hoy, hoy Samsung redobla la apuesta con la mayor capacidad actual.

La EVO Plus sube hasta los 256GB la capacidad de las ínfimas MicroSD, con velocidades de lectura de 95MB/s y de escritura de 90MB/s, transformando un teléfono o cámara de fotos en algo muy distinto a lo que utilizamos hasta ahora.

Tengan en cuenta dos cosas, primero que la mayoría de los teléfonos de este último año ya estan recuperando el slot microSD, hasta hace un par de años los flagships habían empezado a matarlo, pero el público demandó y fue escuchado, ahora tener una tarjeta de estas tiene total sentido ya que los fabricantes de teléfonos no quieren agregar más memoria (aumenta el precio final de venta) pero han aceptado que el mercado quería el bendito slot.

La EVO Plus estará disponible en 50 mercados a partir de Junio con garantía de 10 años y un precio de USD 250.

Via Samsung
Fabio Baccaglioni


Todavía se lanzan flagships con apenas 16GB de almacenamiento de los cuales un 30-40% estan utilizados por el sistema operativo, otros optan por agregarle una memoria microSD al equipo y no falta aquel que no tiene el bendito slot.

Hoy Samsung anunció que comenzó la producción masiva de los módulos de 256GB basados en el estándar Universal Flash Storage 2.0 (UFS 2.0) y probablemente para un Galaxy S8 o algo así ya tengamos teléfonos con una cantidad de memoria decente.

Los nuevos módulos tienen una velocidad de escritura de 260MB/s y de lectura de 850MB/s, bastante mejor que algunos SSD inclusive, con unas 45k de IOPS, más del doble de las memorias UFS anteriores y basado en la última iteración de Vertical NAD de Samsung.

Via Hot Hardware
Fabio Baccaglioni


Cuando AMD lanzó la línea Fury de placas de video vimos un cambio interesante, el dejar de lado las GDDR5 por las memorias HBM.

Estas memorias son mucho más baratas que las GDDR y permiten acumular capas de memoria en un "sandwich" de circuitos, de esta forma se logra una pila de memorias.

Samsung, que ve en esto una excelente oportunidad, ya está lanzando la nueva generación HBM-2 apuntando inicialmente a mercados de servidores pero también al de placas de video, ya sea AMD o NVidia.

Las ventajas de la nueva generación son notables, básicamente duplicar todo lo de la anterior, HBM2 permite hasta 256GB/s por stack de memorias, lleva el límite de 4GB a 16Gb y lo produce en 20nm. Las capas de memoria estan interconectadas verticalmente por los TSV (through-silicon vias) y al estar tan pegadas las capas de chips estos conectores son ínfimos y reducen las pérdidas.

La versión anterior de HBM alcanzaba los 128GB/s usando chips de 2 Gigabits por stack, conectado a un bus de 1024 bits, con cuatro de estos stacks lograban en las AMD Fury unos 512GB/s y unos 4GB de capacidad.

Los nuevos constan de cuatro módulos de 8 Gigabits (4GB en total) con 256GB/s de ancho de banda a la misma interfaz de 1024 bits, pero esto lleva a las placas gráficas a una capacidad máxima de 16GB y un pico máximo de ancho de banda de 1024GB/s, una bestialidad, el doble de una Fury X y el triple de una Titan X de NVidia.

HBM le permitió a AMD placas Fury de muy bajo consumo (hasta 50W de ahorro cambiando las memorias), así que es de esperar que también NVidia opte por el formato que además es más barato de producir, y ni hablar que lo inmediatamente siguiente para HBM en Samsung es el paso al proceso de 14nm.

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